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１．特許（出願人：三菱重工業株式会社、発明者：村田正義他、特許庁ホームページから抜粋）

特開2003-166064 表面処理装置及び表面処理方法

特開2002-324762 放電電極への給電方法、高周波プラズマ生成方法および半導体製造方法

特開2002-305151 表面処理装置及び表面処理方法

特開2002-060953 表面処理装置及び表面処理方法

特開2002-057356 シリコン太陽電池の製造方法

特開2002-057355 シリコン太陽電池およびその製造方法

特開2002-033494 光起電力装置およびその製造方法

特開2002-016006 表面処理装置及び表面処理方法

特開2002-012977 表面処理装置及び表面処理方法

特開2001-279454 ジグザグ状平面コイル型電極を有するプラズマ化学蒸着装置

特開2001-274101 棒状電極を有するプラズマ化学蒸着装置

特開2001-274099 放電電極への給電方法、高周波プラズマ発生方法および半導体製造方法

特開2001-271169 フォーク型電極を有するプラズマ化学蒸着装置

特開2001-257098 放電電極への給電方法、高周波プラズマ生成方法および半導体製造方法

特開2001-225182 レーザー加工装置

特開2001-118795 プラズマ生成装置

特開2001-077169 真空処理装置

特開2000-323297 ＶＨＦプラズマ生成用電極装置

特開2000-277773 非晶質シリコン太陽電池

特開2000-208788 非晶質シリコン太陽電池

特開2000-182970 プラズマＣＶＤ装置

特開2000-164908 非晶質シリコン太陽電池及びその製造方法

特開2000-164904 非晶質シリコン太陽電池及びその製造方法

特開2000-164899 非晶質シリコン太陽電池の製造方法

特開2000-128581 防汚皮膜及びその形成方法

特開2000-114562 光電変換素子及びその製造方法

特開2000-101110 太陽電池の製造方法

特開2000-091236 プラズマＣＶＤ装置

特開2000-058465 プラズマ化学蒸着装置

特開2000-022181 光電変換素子用透明電極基板及びその加工方法

特開2000-003878 放電電極及びそれを用いた高周波プラズマ発生装置並びに給電方法

特開平11-354460 プラズマＣＶＤ装置

特開平11-340150 プラズマ化学蒸着装置

特開平11-312647 プラズマ化学蒸着装置

特開平11-298015 非晶質シリコン太陽電池

特開平11-135814 非晶質シリコン太陽電池

特開平11-126914 集積化太陽電池の製造方法

特開平11-121383 プラズマ化学蒸着装置

特開平11-106933 非磁性膜成膜装置

特開平11-074550 非晶質シリコン太陽電池の製造方法

特開平11-067673 プラズマ化学蒸着装置及び成膜方法

特開平11-067669 アモルファス半導体薄膜の製造装置

特開平11-061418 プラズマＣＶＤ装置

特開平10-321525 アモルファス半導体薄膜の製造装置

特開平10-312969 非晶質半導体薄膜の成膜方法及び装置

特開平10-312965 プラズマ化学蒸着装置

特開平10-294480 アモルファスシリコン系太陽電池の製造方法

特開平10-256583 集積型薄膜太陽電池

特開平10-251856 アモルファスシリコン膜の成膜方法及びプラズマＣＶＤ装置

特開平10-242493 太陽電池

特開平10-219456 超短パルスパワー電源方式プラズマＣＶＤ装置

特開平10-202038 揮発性有機物質の処理方法及び処理装置

特開平10-102261 アモルファスシリコンの成膜装置

特開平10-081972 プラズマ化学蒸着装置

特開平10-052780 レーザ加工装置

特開平10-050614 プラズマＣＶＤ装置

特開平10-039531 電子写真感光体の製造方法及びその装置

特開平10-012557 プラズマ化学蒸着装置

特開平09-298306 アモルファスシリコン太陽電池

特開平09-298087 金属メッシュヒータのクリーニング方法

特開平09-283452 プラズマ化学蒸着装置

特開平09-283449 プラズマ化学蒸着装置

特開平09-275687 パルス発生装置

特開平09-266325 レーザエッチング方法

特開平09-266323 プラズマ化学蒸着装置

特開平09-162131 プラズマＣＶＤ装置

特開平09-129555 プラズマ化学蒸着装置

特開平09-071867 プラズマＣＶＤ装置

特開平08-330235 プラズマＣＶＤ装置

特開平08-325092 プラズマＣＶＤ装置

特開平08-253864 プラズマ化学蒸着装置

特開平08-218176 プラズマＣＶＤ装置

特開平08-217594 マグネトロン型誘導結合方式放電反応装置

特開平08-143394 プラズマ化学蒸着装置

特開平08-107075 プラズマ反応装置

特開平08-092746 プラズマ化学蒸着方法及び装置

特開平08-091987 プラズマ化学蒸着装置

特開平08-069744 高速開放スイッチ

特開平08-064850 薄膜太陽電池及びその製造方法

特開平08-046225 アモルファスシリコン太陽電池

特開平08-022897 開放スイッチ

特開平07-330488 プラズマＣＶＤ装置

特開平07-265668 排ガス処理装置

特開平07-187718 紫外線遮蔽被膜

特開平07-147243 プラズマＣＶＤ方法

特開平07-075717 燃焼排ガス中の窒素酸化物の低減方法

特開平07-066138 プラズマＣＶＤ装置

特開平07-047223 気体酸化用電界装置

特開平07-045540 プラズマ化学蒸着装置

特開平07-041950 プラズマ化学蒸着法を用いた非晶質合金薄膜製造方法及び装置

特開平07-031874 気体酸化用電界装置

特開平06-327964 気体酸化用電界装置

特開平06-327963 気体酸化用電界装置

特開平06-326337 レーザ加工装置

特開平06-299357 電子サイクロトロン共鳴プラズマの科学蒸着装置

特開平06-283436 プラズマＣＶＤ法及びプラズマＣＶＤ装置

特開平06-269635 排ガス処理装置

特開平06-228346 プラスチック基板表面の硬化保護膜の形成方法

特開平06-224132 プラズマ化学蒸着装置

特開平06-212430 プラスチック基板表面の硬化保護膜の形成方法

特開平06-101051 電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶＤ装置

特開平06-100301 オゾン発生装置

特開平06-069160 プラズマ化学エッチング装置

特開平06-065734 薄膜形成装置

特開平06-039241 プラズマによる排ガス処理装置

特開平06-005522 高周波プラズマＣＶＤ装置

特開平06-002123 スパッタリング成膜装置

特開平05-343338 プラズマＣＶＤ装置

特開平05-311447 プラズマＣＶＤ法及びその装置

特開平05-309231 排ガス処理装置

特開平05-299680 プラズマＣＶＤ法およびその装置

特開平05-283344 プラズマＣＶＤ装置

特開平05-261242 排ガス処理装置

特開平05-115746 排ガス処理装置

特開平05-090380 成膜装置の基板搬送装置

特開平05-082449 電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＤＶ装置

特開平05-054994 観賞用プラズマ発生装置


２．学術論文

（１） Ｈ．Ｍａｓｈｉｍａ，Ｙ．Ｔａｋｅｕｃｈｉ，Ｍ．Ｎｏｄａ，Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｈ．Ｎａｉｔｏｕ，Ｉ．Ｋａｗａｓａｋｉ、Ｙ．Ｋａｗａｉ，Ｓｕｒｆａｃｅ　ａｎｄ　Ｃｏａｔｉｎｇｓ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　１７１（２００３）、ｐ．１６７−１７１．
（２） Ｙ．Ｔａｋｅｕｃｈｉ，Ｉ．Ｋａｗａｓａｋｉ，Ｈ．Ｍａｓｈｉｍａ，Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｙ．Ｋａｗａｉ，Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ　３９０（２００１），ｐ．２１７−２２１．
（３） 河合良信、村田正義、竹内良昭、真島浩、応用物理、第７０巻、第４号（２００１）、ｐ．４３８−４４２．
（４） Ｙ．Ｔａｋｅｕｃｈｉ，Ｈ．Ｍａｓｈｉｍａ，Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｓ．Ｕｃｈｉｎｏ，Ｙ．Ｋａｗａｉ，Ｓｕｒｆａｃｅ　ａｎｄ　Ｃｏａｔｉｎｇｓ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　１４２−１４４（２００１）、ｐ．５２−５５．
（５） Ｙ．Ｔａｋｅｕｃｈｉ，Ｈ．Ｍａｓｈｉｍａ，Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｓ．Ｕｃｈｉｎｏ　ａｎｄ　Ｙ．Ｋａｗａｉ，Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．４０，ｐ．３４０５−３４０８，２００１．
（６） Ｙ．Ｔａｋｅｕｃｈｉ，Ｙ．Ｎａｗａｔａ，Ｋ．Ｏｇａｗａ，Ａ．Ｓｅｒｉｚａｗａ，Ｙ．Ｙａｍａｕｃｈｉ　ａｎｄ　Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ　３８６（２００１），ｐ．１３３−１３６．
（７） Ｙ．Ｔａｋｅｕｃｈｉ，Ｙ．Ｄｅｇｕｃｈｉ，Ｍ．Ｎｏｄａ　ａｎｄ　Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｐｒｏｃ。ｏｆ　ｔｈｅ　６ｔｈ　Ｓｙｍｐ．ｏｎ　ｐｌａｓｍａ　ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ（２０００），ｐ．１８１−１８４．
（８） Ｙ．Ｋａｗａｉ，Ｍ．Ｙｏｓｈｉｏｋａ，Ｔ．Ｙａｍａｎｅ，Ｙ．Ｔａｋｅｕｃｈｉ　ａｎｄ　Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｓｕｒｆａｃｅ　ａｎｄ　Ｃｏａｔｉｎｇｓ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　１１６〜１１９（１９９９）、ｐ．６６２−６６５．
（９） Ｈ．Ｍａｓｈｉｍａ，Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｙ．Ｔａｋｅｕｃｈｉ，Ｈ．Ｙａｍａｋｏｓｈｉ，Ｔ．Ｈｏｒｉｏｋａ，Ｔ．Ｙａｍａｎｅ　ａｎｄ　Ｙ．Ｋａｗａｉ，Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．３８，ｐ．４３０５−４３０８，１９９９．
（１０）Ｈ．Ｙａｍａｋｏｓｈｉ，Ｋ．Ｙａｍａｇｕｃｈｉ，Ｓ．Ｍｏｒｉｔａ，Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｍ．Ｙｏｓｈｉｏｋａ，Ｙ．Ｋａｗａｉ，Ｐｒｏｃ．　ｏｆ　ｔｈｅ　１５ｔｈＳｙｍｐ．　ｏｎ　ｐｌａｓｍａ　ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ（１９９８），ｐ．５２２−５２５．
（１１）村田正義、日本原子力学会九州支部／プラズマ・核融合学会九州・沖縄・山口地区研究連絡会連合研究発表講演会報告（１９９７）、ｐ．１−６．
（１２）Ｋ．Ｓａｔａｋｅ，Ｔ．Ｍｏｎａｋａ，Ｏ．Ｕｋａｉ，Ｙ．Ｔａｋｅｕｃｈｉ，Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．３６，ｐ．４７８９−４７９３，１９９７．
（１３）Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｈ．Ｍａｓｈｉｍａ，Ｍ．Ｙｏｓｈｉｏｋａ，Ｓ．Ｎｉｓｈｉｄａ、Ｓ．Ｍｏｒｉｔａ，Ｙ．Ｋａｗａｉ，Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．３６，ｐ．４５６３−４５６７，１９９７．
（１４）Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｈ．Ｍａｓｈｉｍａ，Ｓ，Ｎｉｓｈｉｄａ，Ｓ．Ｍｏｒｉｔａ，Ｙ．Ｋａｗａｉ，Ｐｒｏｃ．ｏｆ　ｔｈｅ　３ｒｄ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　ｏｎ　Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｐｌａｓｍａｓ　ａｎｄ　１４ｔｈ　Ｓｙｍｐ．ｏｎ　Ｐｌａｓｍａ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ（１９９７），ｐ．３８７−３９８．
（１５）Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｙ．Ｔａｋｅｕｃｈｉ，Ｓ．Ｎｉｓｈｉｄａ，Ｖａｃｕｕｍ，Ｖｏｌ．４８，Ｎｏ．１（１９９７），ｐ．１−６．
（１６）Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｙ．Ｔａｋｅｕｃｈｉ，Ｅ．Ｓａｓａｇａｗａ，Ｋ．Ｈａｍａｍｏｔｏ，Ｒｅｖｉｅｗ　ｏｆ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｖｏｌ．６７，Ｎｏ．４（１９９６），ｐ．１５４２−１５４５．
（１７）Ｔ．Ｏｈｉｒａ，Ｏ．Ｕｋａｉ，Ｔ．Ａｄａｃｈｉ，Ｙ．Ｔａｋｅｕｃｈｉ，Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｒｅｖｉｅｗ　Ｂ，Ｖｏｌ．５２，Ｎｏ．１１（１９９５），ｐ．８２８２−８２８７．
（１８）Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｙ．Ｔａｋｅｕｃｈｉ，Ｓ，Ｎｉｓｈｉｄａ，Ｐｒｏｃ．　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｉｎｔ．Ｃｏｎｆ。ｏｎ　Ａｄｖａｎｃｅｓ　ｉｎ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ（ＡＭＰＴ‘９５），ＶＯＬ．３（１９９５），ｐ．１２６１−１２６７．
（１９）Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｙ．Ｔａｋｅｕｃｈｉ，Ｙ．Ｋａｉ，Ｍ．Ｔａｎａｋａ，Ｙ．Ｋａｗａｉ，Ｓｕｒｆａｃｅ　ａｎｄ　Ｃｏａｔｉｎｇｓ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　７４−７５（１９９５）ｐ．５１２−５１５．
（２０）Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｙ．Ｔａｋｅｕｃｈｉ，Ｄ．Ｋｏｊｙｏ　，Ｓｕｒｆａｃｅ　ａｎｄ　Ｃｏａｔｉｎｇｓ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　７４−７５（１９９５）ｐ．１９５−１９９．
（２１）Ｋ．Ｅｂｉｈａｒａ，Ｔ．Ｆｕｊｉｓｈｉｍａ，Ｄ．Ｋｏｊｙｏ，Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｐｌａｓｍａ　Ｓｏｕｒｃｅｓ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｎｏ．２（１９９３），ｐ．１４−１７．
（２２）村田正義、竹内良昭、古城大一、放電研究、Ｎｏ．１３８（１９９２）、ｐ。４７−５５．
（２３）Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｓ．Ｕｃｈｉｄａ，Ｋ．Ｋｉｓｈｉｍｏｔｏ，Ｍ．Ｔａｎａｋａ，Ａ．Ｋｏｍｏｒｉ，Ｙ．Ｋａｗａｉ，Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．３１（１９９２），ｐ．１４９９−１５０２．
（２４）Ｙ．Ｋａｗａｉ，Ａ．Ｋｏｍｏｒｉ，Ｈ．Ｉｋｅｄａ，Ｋ．Ｋｉｓｈｉｍｏｔｏ，Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｓ．Ｕｃｈｉｄａ，Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．２９，Ｎｏ．１１（１９９０）、ｐ．２４８７−２４９０．
（２５）Ｈ．Ｉｋｅｄａ，Ｋ．Ｋｉｓｈｉｍｏｔｏ，Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｓ．Ｕｃｈｉｄａ，Ｋ．Ｈａｓｅｚａｋｉ，Ａ．Ｋｏｍｏｒｉ，Ｙ．Ｋａｗａｉ，Ｐｒｏｃ．ｏｆ　ｔｈｅ　７ｔｈ　Ｓｙｍｐ．　ｏｎ　Ｐｌａｓｍａ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，（１９９０），ｐ．１０１−１０４．
（２６）Ｈ．Ｆｕｊｉｙａｍａ，Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｓ．Ｋａｎｅｋｏ，Ｓ．Ｍｏｒｉｔａ，Ｐｒｏｃ．ｏｆ　ｔｈｅ　１０ｔｈ　Ｉｎｔ．Ｃｏｎｆ．　ｏｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（１９８７），ｐ．８３１−８４０．
（２７）Ｈ．Ｆｕｊｉｙａｍａ，Ｔ．Ｙａｍａｓｈｉｔａ，Ｔ．Ｔａｋａｈａｓｈｉ，Ｈ．Ｍａｔｓｕｏ，Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｓ．Ｋａｎｅｋｏ，Ｓ．Ｍｏｒｉｔａ，Ｐｒｏｃ．ｏｆ　ｔｈｅ　８ｔｈ　Ｉｎｔ．Ｃｏｎｆ．　ｏｎ　Ｐｌａｓｍａ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ（１９８７），ｐ．１４４８−１４５３．
（２９）出口祥啓、野田松平、村田正義、稲田満、西田啓之、日本機会学会論文集（Ｂ編）、６２巻、５９４号（１９９６）、ｐ．７８７−７９２．
（３０）村田正義、黒田雅博、光学、Ｖｏｌ．１５，Ｎｏ．３（１９８６），ｐ．２２６−２３４．
（３１）村田正義、ターボ機械、Ｖｏｌ．１１，Ｎｏ．９（１９８３），ｐ．５１７−５２３．
（３２）Ｍ．Ｍｕｒａｔａ　ａｎｄ　Ｍ．Ｋｕｒｏｄａ，Ｐｒｏｃ．ｏｆ　ＳＰＩＥ（Ｔｈｅ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ　Ｐｈｏｔｏ−Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔａｔｉｏｎ　Ｅｎｇｉｎｅｅｒｓ），Ｖｏｌ．３９８（１９８３），ｐ．７４−８１．
（３３）明石光一郎、村田正義、日本機械学会誌、Ｖｏｌ．８３，Ｎｏ．７３８（１９８０），ｐ．５３２−５３８．
（３４）Ｋ．Ａｋａｓｈｉ，Ｔ．Ｙａｍａｍｏｔｏ，Ｍ．Ｍｕｒａｔａ　ａｎｄ　Ｍ．Ｋｕｒｏｄａ，Ｐｒｏｃ．ｏｆ　ＩＣＯ−１１　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，Ｍａｄｒｉｄ−Ｓｐａｉｎ（１９７８），ｐ．７０３−７０６．
（３５）村田正義、黒田雅博、山本鷹司、明石光一郎、日本機械学会講演論文集、Ｎｏ．７８８−２（１９７８），ｐ．２７−２８．
（３６）村田正義、黒田雅博、山本鷹司、明石光一郎，日本機械学会講演論文集、Ｎｏ．７８８−２（１９７８），ｐ．２５−２６．
（３７）村田正義、機械の研究、Ｖｏｌ．８、Ｎｏ．１０（１９７６）、ｐ．６−１０．
（３８）村田正義、機械の研究、Ｖｏｌ．８、Ｎｏ．１１（１９７６）、ｐ．２７−３０．
（３９）Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．１４（１９７５）Ｓｕｐｐｌ．１４−１，ｐ．２７１−２７５．
（４０）村田正義、日本船舶機関学会誌、Ｖｏｌ．９，Ｎｏ．８（１９７４），ｐ．７０−７５．
（４１）深堀勝市、山本鷹司、村田正義、三菱重工技報、Ｖｏｌ．８，Ｎｏ．３（１９７１），ｐ．４０５−４１５．


３．著書
（１）レーザ応用技術ハンドブック（共著）、昭和５９年３月、�樺ｩ倉書店
（２）レーザ計測ハンドブック（共著）、平成５年９月、�滑ﾛ善

以上

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